[发明专利]伪非易失性直接隧穿浮栅器件无效
| 申请号： | 03813938.3 | 申请日： | 2003-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1669155A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 约翰·D·海德;托德·E·休姆斯;克里斯托弗·J·迪奥里奥;卡弗·A·米德 | 申请（专利权）人： | 伊皮杰有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该器件使用一浮栅，将模拟和数字值信息存储以数毫秒至数小时所量度的时间。电荷借助于电子直接隧穿其周围的绝缘体而添加至浮栅和/或自浮栅中移除，其中该绝缘体通常足够薄，使在绝缘体电压小于该半导体与该绝缘体之间和/或该浮栅与该绝缘体之间的电子亲合势差的情况下会出现明显的隧穿。所存储的信息视需要可刷新或更新。在许多应用中，可刷新所存储的信息而无需中断正常电路运行。可利用不同的电路输入实施向浮栅添加或自其移除电荷，以定制浮栅器件的性能及响应。本发明所揭示的浮栅结构中不需使用控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 伪非易失性 直接 隧穿浮栅 器件 | ||
【主权项】：
1、一种伪非易失性电荷存储器件，其包括：一半导体基板；一布置于所述基板中的源极区；一布置于所述基板中并与所述源极区隔开的漏极区；一布置于所述源极区与所述漏极区之间的沟道；一与所述沟道隔开的电荷保持区；及一厚度小于一富勒-诺德汉隧穿电介质厚度的直接隧穿电介质，所述直接隧穿电介质与所述电荷保持区域并置以便电荷穿过所述直接隧穿电介质转移至电荷保持区域，其中所述电荷存储器件无布置于所述沟道上的控制栅。
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