[发明专利]制造电路的方法无效
| 申请号： | 03813948.0 | 申请日： | 2003-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1663331A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 加利·F·德尔本维克;阿兰·D·德维尔比斯 | 申请（专利权）人： | 塞乐丝半导体公司 |
| 主分类号： | H05K5/00 | 分类号： | H05K5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国哥*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电路如下地形成：在衬底上形成导电层并对其构图，在另一衬底上形成导电层并对其构图，将电介质淀积在一个导电层的至少一部分上，在衬底之间安装集成电路(IC)，将IC耦合到导电层，以及将衬底与在衬底之间的导电层固定在一起。这些衬底是分离的衬底或者单衬底。IC安装到衬底、导电层或电介质层。IC直接或通过在电介质层中形成的开口耦合到导电层。内导电层可用于将IC耦合到导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电路，包括：(a)第一和第二衬底，(b)在第一和第二衬底之间并在第一衬底上形成并构图的第一导电层，(c)在第一和第二衬底之间并在第二衬底上形成并构图的第二导电层，(d)将第一导电层的至少一部分与第二导电层的至少一部分分离开的电介质层，和(e)至少一个集成电路(IC)，每个IC安装在第一和第二衬底之间并且每个IC耦合到第一和第二导电层中的至少一个中。
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