[发明专利]形成基准电压的方法及其结构有效
| 申请号： | 03814160.4 | 申请日： | 2003-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1662863A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 保罗·米格里尔瓦卡 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 以小于百分之百的占空比操作电压发生器(10)的可选择带隙基准(11)。可选择电压基准(11)在使能时具有大电流消耗，在禁止时具有低电流消耗。当使能可选择电压基准(11)时，使能可选择电压基准(11)的输出电压存储在存储元件(13)中。高输入阻抗放大器(16)接收存储的电压并产生基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 基准 电压 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成基准电压发生器的方法，包括：形成在第一时间周期期间被使能以产生具有一个值的基准电压，而在第二时间周期期间被禁止的带隙电路。
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