[发明专利]间隙结构制造方法有效
| 申请号： | 03814208.2 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1663025A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | H·图斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用以制造间隙结构的方法，其包含步骤：形成一具有一栅极沉积抑制层(2A)的栅极绝缘层(2)、一栅极层(3)与一覆盖沉积抑制层(4)于一半导体基板(1)上，并图形化该栅极层(3)与该覆盖沉积抑制层(4)，以形成栅极堆栈(G)；利用该等沉积抑制层(2A，4)而选择性地沉积一绝缘层(6)以便高度准确地形成一间隙结构。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造一间隙结构的方法，其包含步骤为：a)形成一具有一栅极沉积抑制层(2A)的栅极绝缘层(2)、一栅极层(3)与一覆盖沉积抑制层(4)于一半导体基板(1)上；b)图形化该栅极层(3)与该覆盖沉积抑制层(4)，以形成栅极堆栈(G)；以及c)选择性地沉积一关于该等沉积抑制层(2A，4)的绝缘层(6)，以形成该间隙结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03814208.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：膝部气袋和乘员腿部保护装置
- 下一篇：具有模块化工具头部的电缆扎带工具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
