[发明专利]形成半导体处理用部件的方法无效
| 申请号： | 03814307.0 | 申请日： | 2003-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1662471A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | Y·纳伦德拉;E·L·马斯特罗维托 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 余岚 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种形成碳化硅部件的方法。该方法要求提供一种包括碳的预成形体，纯化该预成形体以除去杂质形成经纯化的预成形体，将经纯化的预成形体与熔融的包括硅的浸渗剂接触。按照上述方法，熔融的浸渗剂与碳反应形成碳化硅。根据此方法形成的碳化硅部件特别适合用于半导体制造工艺，可作为半导体处理用部件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 处理 部件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成碳化硅部件的方法，该方法包括：提供含碳的预成形体；纯化该预成形体以除去杂质，形成经纯化的预成形体；和使经纯化的预成形体与熔融的包含硅的浸渗剂接触，熔融的浸渗剂与碳反应形成碳化硅。
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