[发明专利]导电间隔物延伸的浮栅无效
| 申请号： | 03814436.0 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1663026A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | A·M·P·J·亨德里克斯;J·F·A·M·古伊伦;G·J·M·多尔曼斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/788;H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于在衬底(24)上制造具有改进的浮栅与控制栅耦合率的半导体器件的方法。该方法包括步骤：首先在衬底(24)中形成隔离区(22)，然后在衬底(24)上形成浮栅(28)，之后使用多晶硅间隔物(40)延伸浮栅(28)，然后在浮栅(28)和多晶硅间隔物(40)上形成控制栅(44)。这样的半导体器件可用于闪存单元或EEPROM中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 间隔 延伸 | ||
【主权项】：
1.用于在衬底上制造具有浮栅和控制栅的半导体器件的方法，包括步骤：-首先在衬底中形成隔离区，-然后在两个隔离区之间的衬底上形成浮栅，-之后使用导电间隔物延伸浮栅，以及-然后在浮栅和导电间隔物上形成控制栅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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