[发明专利]磁控等离子体处理装置

摘要

磁控等离子体处理装置具有介入处理空间(S)和排气口(11)之间的挡板(10)，以便在处理室(1)内把等离子体封闭在处理空间(S)内，挡板(10)具有连通处理空间(S)和排气口(11)的多个贯通孔(10b)。挡板(10)沿着挡板(10)存在位置的磁场的磁力线配置。

主权项

1、一种磁控等离子体处理装置，具备以下配置，即收容被处理体基板的气密的处理室；把处理气体供给至所述处理室内的气体供给系统；对所述处理室内进行排气并将所述处理室内设定为真空的排气系统，所述排气系统具有在所述处理室下部形成的排气口；在所述处理室内，夹持比所述排气口更上侧上规定的处理空间而相互对置的上部及下部电极，所述下部电极作为用于载置所述被处理基板的载置台发挥功能；在所述上部及下部电极间施加功率、在所述处理空间内激励所述处理气体并形成转化为等离子体电场的电场形成系统；形成中心磁力线向着所述处理室的径向的磁场的磁场形成系统；介入所述处理空间和所述排气口之间以便在所述处理空间内封入所述等离子体的挡板，所述挡板具有连通所述处理空间和所述排气口的多个贯通口，所述挡板沿着所述挡板存在位置的所述磁场的磁力线配置。