[发明专利]用电子束硬化低介电常数膜的方法无效
| 申请号： | 03814617.7 | 申请日： | 2003-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1662676A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 费尔哈德·D·穆加达姆;赵军;蒂莫西·韦德曼;里克·J·罗伯茨;夏立群;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;文·H·朱;黄楚范;李丽华;埃利·Y·易;郑毅;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;埃里克·霍拉;亦康苏;源松文;莱斯特·A·德克鲁埃;特洛伊·金;戴安·苏吉阿托;彼得·韦曼·李;希沙姆·穆萨德;梅利沙·M·塔姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/56;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。 | ||
| 搜索关键词： | 用电 硬化 介电常数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法，包括：在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜；以及在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下，将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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