[发明专利]光掩模

摘要

在假想区域(2)及(3)上，作为副图形形成有虚拟图形。其中，在只形成有假想区域(2)及(3)的主图形的情况下的开口率，分别为60％、90％。假想区域(2)中的虚拟图形，是一边的长度为0.15μm的正方形遮光图形，假想区域(3)中的虚拟图形，是一边的长度为0.20μm的正方形遮光图形。同时，假想区域(2)及(3)的开口率，均设定在30％。如果进行使用这样的光掩模的曝光，则在感光体的曝光用的光照射到的范围内，在任何一点上，由局部光斑产生的光的量基本上是均匀的。其结果，即使产生线宽的变化，其程度在整个光掩模上也是均匀的。

主权项

1.一种光掩模，其形成有应转印到感光体上的主图形，在半导体装置的制造中使用，其特征在于，形成多个副图形，该副图形能否向前述感光体上转印是任意的，在将至少曝光用的光应照射到的照射区域划分成某种一定形状的多个假想区域时，在前述多个假想区域之间，开口率实质上成为恒定。