[发明专利]在热处理室中用于校准温度测量装置的系统和方法有效
申请号: | 03814657.6 | 申请日: | 2003-06-03 |
公开(公告)号: | CN1663039A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
发明(设计)人: | 保罗·J·蒂曼斯 | 申请(专利权)人: | 马特森技术公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平;杨梧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种在热处理室中校准温度测量装置(10)如高温计的方法和系统。根据本发明,该系统包括将光能(23)发射到容纳在热处理室(14)中的衬底上的校准光源。而后,光探测器(42)探测透过该衬底的光线数量。然后,将探测的光能量用于校准在该系统中使用的温度测量装置(27)。 | ||
搜索关键词: | 热处理 用于 校准 温度 测量 装置 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在热处理室中校准温度测量装置的方法,包括提供容纳至少一个用于监视设置在所述室中的半导体晶片的温度的温度测量装置的热处理室,所述热处理室与加热容纳在所述室中的晶片的加热装置相通,所述室进一步包括一校准光源;将一校准晶片设置在所述热处理室中;当使用所述加热装置加热所述校准晶片时,将所述校准光源的光能发射到所述校准晶片上;探测校准光源发射的透过校准晶片的光能量,并且基于探测的透射光量来确定校准晶片的温度;以及基于确定的温度来校准温度测量装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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