[发明专利]带有改进型场线的金属卤化物灯无效
申请号: | 03814747.5 | 申请日: | 2003-06-10 |
公开(公告)号: | CN1663020A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
发明(设计)人: | J·图 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01J61/82 | 分类号: | H01J61/82;H01J61/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 原绍辉;胡强 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供了一种改进型放电灯,其包括封装着放电空间的放电容器(弧管),该放电容器(弧管)包括位于放电空间内的金属卤化物可电离材料、第一和第二放电电极馈通以及分别连接于第一和第二放电电极馈通上的第一和第二导电体。改进之处通过使用由材料包括Ni或Ni合金制成的场线而实现,其中场线材料的电阻率在25℃时<10ohms/mm2,光电发射逸出功>4.0eV,热离子发射逸出功>4.0eV,熔点>1200℃。 | ||
搜索关键词: | 带有 改进型 金属卤化物灯 | ||
【主权项】:
1.一种包括封装着放电空间的放电容器的放电灯,其中所述放电容器包括位于所述放电空间中的包括金属卤化物的可电离材料、第一和第二放电电极馈通装置以及分别连接于所述第一和第二放电电极馈通装置上的第一和第二导电体;改进之处在于其中导体为由包括Ni或Ni合金的材料制成的场线,其中所述场线材料的电阻率在25℃时<10ohms/mm2,光电发射逸出功>4.0eV,热离子发射逸出功>4.0eV,熔点>1200℃。
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