[发明专利]在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统无效
申请号: | 03815106.5 | 申请日: | 2003-06-27 |
公开(公告)号: | CN1666296A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·斯莱盖林;劳伦特·加斯蒂罗 | 申请(专利权)人: | 艾斯奥托公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及在电子模块的Flash型存储器中进行写入的方法。本方法包括将所述存储器的至少两个物理区域(叫做“镜像区域”)与相同逻辑区域关联,在所述逻辑区域进行写入的过程中,在其中一个所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程;在方便的时间在单一操作中擦除所使用的所有镜像区域的内容。本发明还涉及其中实现了本方法的智能卡。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 写入 方法 以及 实现 这种方法 系统 | ||
【主权项】:
1-一种在电子模块的Flash型存储器中进行写入的方法,其特征在于包括,将所述存储器的叫做“镜像区域”的至少两个物理区域与相同逻辑区域关联,在所述逻辑区域中进行写入的过程中,在其中一个叫做“有效区域”的所述空白镜像区域中对所述逻辑区域的内容进行编程。
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