[发明专利]将相异移除速度应用到衬底表面的方法与装置无效
| 申请号： | 03815381.5 | 申请日： | 2003-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1666321A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | Y·戈特基斯;R·基斯特勒;A·奥查兹;D·亨克;N·J·布赖特 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种半导体处理系统。该系统包括：传感器，检测代表沉积于衬底表面上的薄膜厚度的信号。第一喷嘴，供应第一流体至抛光垫的表面。流体限制装置，位于该第一喷嘴上游。该流体限制装置均匀地分布该浆料于该抛光垫的该表面上。第二喷嘴，位于该流体限制装置上游。该第二喷嘴供应第二流体至该均匀分布的浆料上。本发明还提供一种CMP系统及将相异移除速度应用至衬底表面的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 相异 速度 用到 衬底 表面 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对施加到衬底表面的移除速度提供不同控制的方法，包括：在处理操作前，产生衬底的厚度曲线图；将厚度曲线图的坐标与在处理操作中使用的传感器相关联；以及根据厚度曲线图所提供的数据调整与传感器相关联的衬底表面位置处的移除速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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