[发明专利]用于改良电化学电容电压测量准确度及可重复性的监控装置及方法无效
| 申请号： | 03815541.9 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1666328A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 爱恩·克里斯多夫·玛亚斯;麦克·丝唯妮;哈维·宝沟倪;克里夫·米顿 | 申请（专利权）人： | AOTI营运公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于改良电化学电容电压(EVC)造形测量准确度的装置与方法，其方式是警示操作者蚀刻过程中产生表面薄膜或气泡，使用该就地监控装置在测量循环结束时测定实际测量区域，并使用新值重新计算该数据。通过使区域测量与EVC工具形成整体，可针对该实际测量区域修正每个样品的测量，从而可改良准确度并消除一大的错误源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改良 电化学 电容 电压 测量 准确度 重复性 监控 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用以改良电化学电容电压(ECV)造形准确度及可重复性的方法，其包含如下步骤：提供一样品、一在所述样品上界定一测量区域的构件、一盛有电解质且所述电解质接触所述样品的电化学槽、及传统方式的ECV造形；在所述电解质填充循环期间监控所述样品以观察所述样品是否存在所形成的气泡；在造形期间监控所述蚀刻井；在所述造形结束时测量所述蚀刻井区域；及将所述测量应用至所述原始造形数据以产生更能可再现性地代表所述ECV造形的已调节数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
