[发明专利]用于使用多重门极层制造逻辑元件的技术有效
| 申请号： | 03815544.3 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1689168A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 尼马·莫赫莱希;杰弗里·卢策 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明阐述多种技术，该些技术在设计及制造用于半导体器件的各种逻辑元件中使用多重多晶硅层。根据本发明的一具体实施例，通过使用多重多晶硅层制造各种晶体管门极即可减小逻辑门单元尺寸及存储器阵列单元尺寸。本发明的使用多重多晶硅层来形成逻辑元件的晶体管门极的技术会在精调诸如氧化物厚度、阈电压、最大容许门极电压等晶体管参数方面上提供额外的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 多重 门极层 制造 逻辑 元件 技术 | ||
【主权项】：
1、一种形成一集成电路的逻辑元件区域的方法，所述集成电路制成于一衬底上，所述方法包括：在所述衬底上形成一第一门极结构，所述第一门极结构由一第一晶体管门极材料层构成；在所述衬底上形成一第二门极结构，所述第二门极结构由一第二晶体管门极材料层构成；其中所述第一晶体管门极材料层不同于所述第二晶体管门极材料层；及其中所述第二门极结构的一第二部分形成于所述第一门极结构的一第一部分上，由此形成一第一重叠门极区。
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