[发明专利]具有改进型抗蚀剂及/或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种在介电层中蚀刻开口的方法，该方法包括：将一半导体基板支撑于等离子蚀刻反应器中，该基板具有一介电层及位于该介电层之上的图案化光致抗蚀剂及/或硬质掩模层；向等离子蚀刻反应器供应蚀刻剂气体，该蚀刻剂气体包括(a)一种碳氟化合物气体(C_xF_yH_z，其中x为1，y为1且z为0)；(b)一种含硅烷气体、氢气或碳氢化合物气体(C_xH_y，其中x为1且y为4)；(c)一种可选含氧气体；及(d)一种可选惰性气体，其中该含硅烷气体对该碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.1，或该氢气或碳氢化合物气体对该碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.5；将该蚀刻剂气体激发为等离子；以增强的光致抗蚀剂/硬质掩模对介电层的选择性及/或最小化的光致抗蚀剂变形或条纹在介电层中等离子蚀刻若干开口。

主权项

1、一种于一介电层中蚀刻开口的方法，其包括：将一半导体基板支撑于一等离子蚀刻反应器中的一基板支架上，所述基板具有一介电层及一位于所述介电层之上的图案化光致抗蚀剂层及/或硬质掩模；向所述等离子蚀刻反应器供应一种蚀刻剂气体，所述蚀刻剂气体包括(i)一种碳氟化合物气体(CxFyHz，其中x≥1，y≥1且z≥0)；(ii)一种含硅烷气体、氢气及/或碳氢化合物气体(CxHy，其中x≥1且y≥4)；(iii)一种可选含氧气体；及(iv)一种可选惰性气体；其中含硅烷气体对碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.1及/或氢气或碳氢化合物对碳氟化合物气体的流速比小于或等于0.5；将所述蚀刻剂气体激发为一等离子态；以增强的光致抗蚀剂及/或硬质掩模对介电层的选择性及最小化的光致抗蚀剂变形或条纹在所述介电层中等离子蚀刻开口。