[发明专利]等离子体参数非侵入测量和分析的方法和装置无效
| 申请号： | 03815550.8 | 申请日： | 2003-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1666315A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 理查德·帕森斯 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于传感和分析等离子体处理的参数的RF传感器。所述RF传感器具有等离子体处理工具和一个用于接收从等离子体处理工具辐射的RF能量的天线。天线位于非常接近等离子处理工具处，以便是非侵入式的。此外，RF传感器可配置为从等离子体处理工具辐射的RF能量的多谐波的宽带接收。另外，RF传感器可耦合到一个高通滤波器和一个用于处理接收到的RF能量的处理器。此外，天线可位于一个外壳内，所述外壳带有吸收器，用于减少RF传感器受到的干扰。此外，一个工具控制可耦合到处理器以便根据由接收到的RF能量提供的信息调整和维持等离子体处理的各参数。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 参数 侵入 测量 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于感测等离子体处理的参数的RF传感器，所述RF传感器包括：一个等离子体处理工具，它具有一个等离子体处理区域；以及一个天线，用于接收从所述等离子体处理工具辐射的RF能量；其中，所述的接收到的RF能量包括一个基频和多个谐波频率，并且其中，所述天线位于所述等离子体处理区域之外。
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