[发明专利]半导体封装件及其制备方法无效
| 申请号： | 03815566.4 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1666326A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·丹特;L·拉尔森;R·尼尔森;D·索里兹 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体封装件，包括具有含至少一个集成电路的活性表面的半导体晶片，其中每一集成电路具有多个结合点。至少一个固化的硅氧烷元件覆盖至少一部分该活性表面。每一结合点中的至少一部分没有被硅氧烷元件覆盖。该硅氧烷元件在－40至150℃下的线性热膨胀系数为60－280μm/m℃，和在25℃下的模量为1－300MPa，和通过本发明的方法制备该硅氧烷元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，它包括：具有活性表面的半导体晶片，所述活性表面包括至少一个集成电路，其中每一集成电路具有多个结合点；和覆盖至少一部分活性表面的至少一种固化的硅氧烷元件，其中每一结合点的至少一部分没有被所述硅氧烷元件覆盖，该硅氧烷元件在-40至150℃下的线性热膨胀系数为60-280μm/m℃，和在25℃下的模量为1-300MPa，和通过包括下述步骤的方法制备该硅氧烷元件：(i)在活性表面上印刷硅氧烷组合物，形成硅氧烷沉积物，其中该硅氧烷组合物包含：(A)每分子含有平均至少两个与硅键合的链烯基的有机聚硅氧烷，(B)浓度足以固化该组合物的有机氢化硅氧烷，所述有机氢化硅氧烷每分子含有平均至少两个与硅键合的氢原子，(C)有效量表面积小于25m2/g的无机填料，(D)催化量的氢化硅烷化催化剂；任选地(E)氢化硅烷化催化剂抑制剂，和任选地(F)基本上由R33SiO1/2硅氧烷单元和SiO4/2硅氧烷单元组成的有机聚硅氧烷树脂，其中各R3独立地选自具有1-20个碳原子的单价烃基和单价卤代烃基，在有机聚硅氧烷树脂内，R33SiO1/2单元和SiO4/2单元的摩尔比为0.65-1.9；和(ii)加热该硅氧烷沉积物，其时间足以形成固化硅氧烷元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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