[发明专利]用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法

摘要

一种双钳制的梁具有处于梁内的不对称压电层，一个栅位于该梁的亚微米距离范围内，形成栅梁偶极子。悬臂梁用Cl₂/He等离子体蚀刻形成，该等离子体分别以1∶9的流速比输入到等离子体室内。参数放大器包括一个在共振点驱动的NEMS信号梁和一对在二倍共振点驱动的泵梁，从而在泵梁上产生一个被调制的洛仑兹力以扰动信号梁的弹簧常数。桥电路向第一和第二臂中的第一和第二NEMS梁提供激励信号的两个异相分量。向AC驱动的NEMS器件提供DC电流以调谐共振频率。分析器包括多个具有不同共振频率的压阻NEMS悬臂和多个驱动/传感元件，或者包括多个相互作用的梁从而形成光衍射栅，或者包括多个应变传感NEMS悬臂，其中每一个都响应一个不同的分析物，或者包括多个具有不同IR吸附物的压阻NEMS悬臂。

主权项

1.一种单光刻制造的装置，包括：一个亚微米宽度的双钳制悬臂梁，具有在梁内或者梁上制造的不对称布置的机电转换层；至少一个侧驱动栅，位于梁的亚微米距离附近。