[发明专利]用于控制受控元件的有源矩阵背板及其制造方法有效
| 申请号： | 03815943.0 | 申请日： | 2003-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1666318A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·P·布罗迪;保罗·R·马姆伯格;罗伯特·E·斯特普尔顿 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 一种电子器件由淀积在基片(10)上的电子元件(70、74)形成。通过使基片前移通过多个淀积真空室(4－1～4－12)，将该电子元件淀积在基片上，且每个淀积真空室具有置于其中的至少一个材料淀积源(8－1～8－12)和遮蔽掩膜(12－1～12－12)。来自置于每个淀积真空室(4)中的至少一个材料淀积源(8)的材料通过置于淀积真空室(4)中的遮蔽掩膜(12)淀积在基片(10)上，用以在基片(10)上形成包括电子元件阵列的电路。该电路通过在基片(10)上的连续地淀积材料而单独形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 受控 元件 有源 矩阵 背板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子器件的方法，包括以下步骤：(a)使基片前移通过多个淀积真空室，该每个淀积真空室具有置于其中的至少一个材料淀积源和遮蔽掩膜；和(b)在基片上通过置于每个淀积真空室中的遮蔽掩膜淀积来自置于该每个淀积真空室中的至少一个材料淀积源的材料，用以在该基片上形成包括电子元件阵列的电路，其中该电路是通过连续地在该基片上淀积材料而单独地形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
