[发明专利]短沟道场效晶体管制造方法

摘要

本发明涉及一种短沟道场效晶体管制造方法。本发明乃涉及一种制造一短沟道场效晶体管的方法，包括下列步骤：形成一次微影栅极牺牲层(3M)，在该次微影栅极牺牲层(3M)的侧壁处形成间隙壁(7S)，移除该次微影栅极牺牲层(3M)以形成一栅极凹陷，以及在该栅极凹陷中形成一栅极介电质(10)与一控制层(11)，而如此的结果为会形成在低于100纳米范围内的临界尺寸中具有最小波动的一短沟道FET。

主权项

1.一种制造一短沟道场效晶体管的方法，包括下列步骤：a)准备一半导体基板(1)；b)在该半导体基板(1)的表面形成一第一屏蔽层(2)；c)微影图案化该第一屏蔽层(2)，以形成具有实质上垂直的侧壁的一第一屏蔽(2BM)；d)实行该第一屏蔽(2BM)的至少一侧壁的一化学转变，以形成一次微影屏蔽层(3)；e)微影图案化该次微影屏蔽层(3)，以形成一次微影栅极牺牲层(3M)；f)移除该第一屏蔽(2BM)；g)于该次微影栅极牺牲层(3M)的该等侧壁处形成间隙壁(7S，7S’)；h)在该半导体基板(1)中形成连接区域(LDD)、及/或源极/漏极区域(S，D)；i)形成一牺牲填充层(8)，以镶嵌该次微影栅极牺牲层(3M)以及该等间隙壁(7S)；j)移除该次微影栅极牺牲层(3M)，以形成一栅极凹陷；k)在该栅极凹陷中形成一栅极介电质(10)；l)在该栅极凹陷中形成一控制层(11)；m)移除该牺牲填充层(8)，以使该等源极/漏极区域(S，D)露出；n)形成用于该等源极/漏极区域(S，D)的连接层(12)；以及o)形成一绝缘层(13)，以夷平一半导体表面。