[发明专利]从包括缓冲层的晶片转移薄层

摘要

一种制造包括从晶片(10)获得的半导体材料的薄层的结构的方法，晶片(10)包括：晶格参数匹配层(2)，该晶格参数匹配层(2)包括具有第一晶格参数的半导体材料的上层；半导体材料的膜(3)，其具有基本上不同于第一晶格参数的标称晶格参数并被匹配层(2)应变；具有基本上与第一晶格参数相同的标称晶格参数的松弛层(4)，该方法包括松弛层(4)和应变膜(3)向接收衬底(5)的转移。还提供根据本发明的工艺之一制造的结构。

主权项

1、一种制造结构的方法，所述结构包括从晶片(10)获得的半导体材料的薄层的，其中晶片(10)包括晶格参数匹配层(2)，该晶格参数匹配层(2)包括选自具有第一晶格参数的半导体材料的上层，其特征在于：该方法包括如下步骤：(a)在匹配层(2)的上层上生长膜(3)，所述膜(3)是选自半导体材料的材料，所述膜(3)是具有基本上与第一晶格参数不同的标称晶格参数的材料，所述生长的膜(3)具有足够小的厚度以便保持位于下面的匹配层(2)的上层的第一晶格参数并由此被应变；(b)在膜(3)上生长松弛层(4)，所述松弛层(4)的材料是选自具有基本上与第一晶格参数相同的标称晶格参数的半导体材料；(c)除去晶片(10)的一部分，包括下列操作：-在匹配层(2)中形成脆性区；和-为了在脆性区水平上分离包括所述松弛层(4)的晶片(1)的部分而供给能量，由此形成要制造的所述结构。