[发明专利]一种双极晶体管有效
| 申请号： | 03816360.8 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1669150A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | J·贝克;T·梅斯特;A·罗曼尤克;H·舍弗 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/167 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极晶体管。为了降低外在基极电阻以及因而达成一双极晶体管的一低电阻基极电极，乃会使用一多晶硅层作为该基极电极(2)，且在该多晶硅层之中插入会在该多晶硅层中造成一高密度空间的不纯物原子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，包括：一发射极区域(3)，其可以经由一发射极电极(1)而进行电性接触；一基极区域(4)，其可以经由一基极电极(2)而进行电性接触；以及一集电极区域(5)，其可以经由一集电极电极而进行电性接触，其特征在于，该等发射极、基极、以及集电极电极(1，2)的至少其中一个电极系为一多晶硅层，且在该多晶硅层中乃插入会在该多晶硅层中造成一高密度空间的不纯物原子。
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