[发明专利]含氟化的菲咯啉衍生物的电荷迁移组合物无效
| 申请号： | 03816462.0 | 申请日： | 2003-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1668616A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | D·D·莱克洛克斯;Y·王 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C07F15/00;H01L51/00;C09K11/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有式(I)化合物的电荷迁移组合物。本发明还涉及电子器件，其中有至少一个活性层包括这种电荷迁移组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 菲咯啉 衍生物 电荷 迁移 组合 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其特征在于，它含有示于图1的式I菲咯啉衍生物，其中：R1和R2在各种情况下可相同或不同，并且选自H、F、Cl、Br、烷基、杂烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd、和OC6HcFd；a、b、c、和d是0或整数，使得a+b＝2n+1，并且c+d＝5；n是整数；x是0或1-3的整数；y是0、1或2；附加条件是芳基上的至少一个取代基选自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd、和OC6HcFd。
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