[发明专利]喹喔啉衍生物的电荷迁移组合物和由其制得的电子器件无效
| 申请号： | 03816467.1 | 申请日： | 2003-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1726603A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | D·D·莱克洛克斯;M·A·居尔蒂;N·海隆;N·S·杜拉;E·M·史密斯;Y·王 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/30;C07D471/14;C07D241/46;C07D241/44;C07D241/42;C07D401/14;C07F7/08;C07F15/00;C07D519/00;C07D409/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有式I、II或III的喹喔啉衍生物的电荷迁移组合物。本发明还涉及电子器件，其中有至少一个活性层包括这种电荷迁移组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 喹喔啉 衍生物 电荷 迁移 组合 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其特征在于，它含有示于图1的式I喹喔啉衍生物，其中：R1和R2在各种情况下可相同或不同，并且选自H、F、Cl、Br、烷基、杂烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、亚烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亚烷基杂芳基、烯基杂芳基、炔基杂芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd、和OC6HcFd，或者两个R2一起构成亚芳基或亚杂芳基；a、b、c、和d是0或整数，使得a+b＝2n+1，并且c+d＝5；n是整数；和z是0或1-4的整数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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