[发明专利]图像传感器以及图像传感器模块有效
申请号: | 03817242.9 | 申请日: | 2003-07-23 |
公开(公告)号: | CN1669149A | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 大川成实 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/088 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;潘培坤 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种避免画质和读取速度的劣化,可以实现小型化、消耗电力降低化、高速化的图像传感器。其由像素单元(14)、和由MOS晶体管等构成的外围电路(12)以及输入输出电路(13)构成,该像素单元(14)由连接在电源上的光电二极管(31)以及复位晶体管(32)、和检测光电二极管(31)的信号电压的检测晶体管(33)、以及选择检测晶体管(33)并读取信号电压的选择晶体管(34)构成。复位晶体管(32)以及检测晶体管(33)的栅极绝缘膜(60A)比选择晶体管(34)的栅极绝缘膜(60B)形成得厚些。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 以及 模块 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包含:在第1电源和第2电源之间串联连接的复位晶体管和光电二极管;与前述第1电源连接,并检测前述光电二极管的信号的检测晶体管;选择前述检测晶体管的选择晶体管,其特征在于:前述检测晶体管的栅极绝缘膜比前述选择晶体管的栅极绝缘膜厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的