[发明专利]高温下各向异性地蚀刻多层结构无效
| 申请号： | 03817249.6 | 申请日： | 2003-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1669128A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李耀升 | 申请（专利权）人： | 优利讯美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可供选择的蚀刻化学组成，该化学组成可以提供固有地各向异性蚀刻，并且在不需要高分子聚合物沉积作用的条件下消除刻痕形成。蚀刻在高于近似160℃的衬底温度下用HBr和N2的组合实施，以提供基本上无刻痕和无碳聚合物的各向异性蚀刻方法。可供选择的蚀刻化学组成允许在ICP等离子体蚀刻体系内含铟多层结构中产生具有光滑侧壁的基本上垂直的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 各向异性 蚀刻 多层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于各向异性地干法蚀刻化合物半导体异质结构的方法，所述方法包括：选择性地掩蔽异质结构的表面；和将被掩蔽的异质结构暴露于包含溴化氢和氮气的混合物的等离子体，以在通常垂直于主表面的方向上各向异性地蚀刻该异质结构的未掩蔽部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优利讯美国有限公司，未经优利讯美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03817249.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信息处理系统
- 下一篇：在通信网络中鉴权电子邮件消息的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
