[发明专利]硅烷醇基浓度的检测方法以及检测用密室有效
申请号: | 03817302.6 | 申请日: | 2003-08-08 |
公开(公告)号: | CN1668912A | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 木全良典 | 申请(专利权)人: | 东亚合成株式会社 |
主分类号: | G01N21/35 | 分类号: | G01N21/35;G01N21/03 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 何腾云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于利用红外线吸收光谱法迅速并且高精度检测硅化合物中硅烷醇基的浓度。硅化合物与大气中的水分等接触立即发生反应,生成硅烷醇基。因此在进行检测时,必须不使试样与外部空气接触,以及完全除去密室内部附着的微量水分。在本发明中,通过使用耐压性密室,可以短时间除去密室内的水分。即,本发明的第一技术方案是硅烷醇基浓度检测方法,在利用红外线吸收光谱方法检测硅化合物中硅烷醇基的浓度时,将硅化合物填充到密室内之前,至少反复两次进行下述工序:将密室内部压力保持在20Pa以下的工序以及保持在0.2-1MPa的工序。然后将硅化合物导入密室,检测红外线吸收光谱,以检测该硅化合物中硅烷醇基的浓度。第二技术方案是耐20Pa以下减压和0.2-1MPa加压的红外线吸收光谱检测用密室。 | ||
搜索关键词: | 硅烷 浓度 检测 方法 以及 密室 | ||
【主权项】:
1.一种硅烷醇基浓度检测方法,其特征在于,在利用红外线吸收光谱方法检测硅化合物中硅烷醇基的浓度时,将硅化合物填充到密室里之前,至少反复两次进行下述工序:将密室内部压力保持在20Pa以下的工序以及保持在0.2-1MPa的工序,然后将硅化合物导入密室中,检测红外线吸收光谱,以检测该硅化合物中硅烷醇基的浓度。
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