[发明专利]磁检测装置无效
申请号: | 03817505.3 | 申请日: | 2003-07-23 |
公开(公告)号: | CN1672058A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | W·F·维特克拉夫特 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种磁检测装置。该磁检测装置可以具有集成电路和磁传感器。磁缓冲层材料可以沉积在集成电路和磁传感器之间,以使磁传感器屏蔽集成电路产生的杂散电磁场。磁缓冲层还可以吸收磁检测装置中其他内部源产生的电磁场。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种磁检测装置,包括:一个具有接合表面的集成电路;一个沉积在接合表面的磁屏蔽层,其中所述磁屏蔽层吸收所述集成电路产生的电磁信号;以及一个沉积在所述磁屏蔽层上的磁检测层,使得所述磁检测层基本与所述集成电路对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03817505.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。