[发明专利]用于成像探测器的半导体结构无效
申请号: | 03817813.3 | 申请日: | 2003-07-18 |
公开(公告)号: | CN1672266A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 伊罗·希耶塔宁 | 申请(专利权)人: | 地太科特技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L23/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 芬兰米克*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本发明披露了一种包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列,每个子阵列的光电探测器在衬底上形成,且每个光电探测器的有源区在所述衬底的表面上形成,还为每个光电探测器形成穿过所述衬底从其上表面到其下表面的导电通孔,该导电通孔用于将每个光电探测器的有源区连接到衬底的下表面,其中多个所述光电探测器子阵列彼此靠近放置成矩阵,以形成光电探测器阵列。也披露了一种成像系统,包括:包括这样的光电探测器阵列的辐射探测器、朝向辐射探测器的辐射源、以及用于控制辐射探测器和辐射源的装置。还披露了一种用于制造这样的阵列的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 探测器 半导体 结构 | ||
【主权项】:
1.一种包括半导体器件的衬底,所述衬底的一个表面上具有有源区,其中,设置有从所述衬底的一个表面到所述衬底的另一表面的导电通孔,用于将所述有源区连接到所述衬底的另一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的