[发明专利]大气压二氧化钛CVD涂层无效
申请号: | 03818226.2 | 申请日: | 2003-07-30 |
公开(公告)号: | CN1675403A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | D·W·希尔;M·彭普尔 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/453;C23C16/503 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华;赵苏林 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 描述了一种供通过CVD淀积二氧化钛及含二氧化钛薄膜的方法,使用大气压辉光放电等离子体作为主要反应源,它导致通常只有以显著较高衬底温度才能获得的膜特性和膜生长速率。 | ||
搜索关键词: | 大气压 氧化 cvd 涂层 | ||
【主权项】:
1.在衬底上作为薄膜淀积二氧化钛或含二氧化钛物质的方法,该方法包括的步骤为:-当在低于250℃温度加热衬底时使用大气压辉光放电等离子体作为主要反应源,以改进膜特性及膜生长速率,-引入反应性二氧化钛CVD母体,它已被预先蒸气化到所引入的通过涂布区流动的气流之中。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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