[发明专利]电容压力传感器有效
| 申请号： | 03818277.7 | 申请日： | 2003-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1672023A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 武尔佛特·德勒韦斯;弗兰克·赫格纳 | 申请（专利权）人： | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01L19/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 电容压力传感器1，包括：基体10，其在一端面具有带有凹陷中心区域的支撑薄膜床11；与基体沿着接合位置气密连接的薄膜17，其中薄膜17覆盖薄膜床11。测量电极13设置在薄膜床的中心区域；参考电极14设置在凹槽12中，以增加其到在薄膜17上的相对电极18的距离。因此，在参考电极和相对电极之间的参考电容对于薄膜17的与压力相关的偏移变得敏感。结果，这导致压力传感器敏感性的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.电容压力传感器(1)，包括：基体(10)，其在一端面具有带有凹陷中心区域的支撑薄膜床(11)；与基体(10)沿着接合位置气密连接的薄膜(17)，其中薄膜(17)覆盖薄膜床(11)；第一电极(13)，其设置在薄膜床(11)的中心部分上；第二电极(14)，其设置在第一电极(13)和基体(10)端面接合位置之间的范围内；相对电极(18)，其设置在薄膜对着基体(10)的面上；其特征在于薄膜床(11)在第一电极(13)和接合位置之间的范围内具有凹处(12)，其中设置第二电极(14)。
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