[发明专利]GaN基发射辐射的薄膜半导体器件有效
| 申请号： | 03818419.2 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1672270A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | D·埃泽尔特;B·哈恩;V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有一个GaN基多层结构(12)的发射辐射的薄膜半导体器件，该多层结构包括一层有源的、发射辐射的层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背离该第一主面的第二主面(18)，用以输出在该有源的、产生辐射的层中产生的辐射。此外，多层结构(12)的第一主面(16)与一层反射层或界面联接，且与该多层结构的第二主面(18)邻接的多层结构的区域(22)制成具有凸部(26)的一维或二维结构化。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发射 辐射 薄膜 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.发射辐射的薄膜半导体器件，具有一个GaN基的多层结构(12)，该多层结构包括一层有源的、产生辐射的层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背离该第一主面的第二主面(18)用以输出在该有源的、产生辐射的层中产生的辐射，其特征为，多层结构(12)的第一主面(16)与一层反射层或界面联接，且与该多层结构的第二主面(18)邻接的多层结构的区域(22)制成一维或二维结构化。
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