[发明专利]具有半导体路径的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03818432.X | 申请日： | 2003-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1672273A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | H·克劳克;G·施米德;U·茨施尚;M·哈里克;E·特佐格鲁 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明乃涉及一种具有一半导体路径的半导体装置，其包括一有机半导体材质，一用于将电荷载体注入该半导体路径之中的第一接触，以及用于自该半导体路径撷取电荷载体的第二接触，其中，一磷化氢层乃会被配置于该第一接触以及该半导体路径间，及/或，在该第二接触以及该半导体路径间。此外，该磷化氢乃是作用为一电荷传递分子，以使得可以更容易地在接触以及有机半导体材质间传递电荷载体。因此，在接触以及有机半导体材质之间的接触电阻可以被显著地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 路径 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有一半导体路径的半导体装置，其包括一有机半导体材质，用于将电荷载体注入该半导体路径中的第一接触，以及用于自该半导体路径撷取电荷载体的第二接触，其中，一磷化氢层乃会被配置于该第一接触以及该半导体路径间，及/或，在该第二接触以及该半导体路径间。
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