[发明专利]为检测多电平存储单元状态建立参考电平的方法

摘要

为了为超过两个的存储状态设定边界电流电平(I_H、I_M、I_L)，提供了电路(图2)，它使用限定每个状态的中心的参考电流(I_R00，I_R01，I_R10，I_R11)。参考电流由多个预编程参考存储单元(21)或通过单个参考存储单元(21，“11”)与电流镜(37)一起限定，该电流镜(37)按第一参考(I_R11)的具体比例设定其它参考电流。采用这些参考电流，模拟电路块(53)按参考电流的(1－m)和m生成分路电流，其中m是具体界限值，对于读取操作，它等于50％而对于程序校验操作，它小于50％，随后组合(图4)用于相邻状态的分路电流以形成边界电流电平。可以用由用于各种参考电流的读出放大器(71、72)偏置的电流镜(73、74)对获得分路电流((1－m)I_Ri，(m)I_Rj)。

主权项

1.一种为超过两个的存储单元状态生成参考电流电平的电路，其特征在于，包括：第一参考存储单元，它被预编程以提供在与所述第一存储单元状态相对应的电流电平范围内限定第一存储单元状态的中心的第一参考电流；用于提供两个或更多附加参考电流的装置，这些附加参考电流在用于这些附加状态的电流电平的不同范围之内限定附加存储单元状态的中心；以及模拟电路块，它使用所述参考电流以便为读取和程序校验存储操作生成一组状态间的边界电流电平，所述模拟电路块对相邻参考电流的分路电流求和以生成所述状态间的边界电流电平，为了生成读取边界电流电平，所述分路电流基本是所述参考电流的50％，为了生成校验边界电流电平，所述分路电流是所述参考电流的(1-m)和m，其中m是比用于限定读取边界电流电平的分数小的指定界限值。