[发明专利]副支架和半导体器件有效
| 申请号： | 03818487.7 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1672251A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 石井隆;桧垣贤次郎;筑木保志 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01S5/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架3装有基板3和在基板的初级表面4f上形成的焊接剂层8。焊接剂层8的密度至少为焊接剂层8所用材料的理论密度的50％且不大于99.9％。焊接剂层8含有至少一种下列组分：金—锡合金、银—锡合金和铅—锡合金。焊接剂层8在其熔化之前在基板4上形成，并含有Ag膜8b和在Ag膜8b上形成的Sn膜8a。副支架3还含有在基板4和焊接剂层8之间形成的Au膜6。 | ||
| 搜索关键词： | 支架 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.在带有副支架基板和在所述副支架基板的初级表面上形成的焊接剂层的副支架中，一个副支架，其中熔化之前所述焊接剂层的密度至少为所述焊接剂层中所用材料的理论密度的50％且不大于99.9％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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