[发明专利]具双频偏压源及单频等离子体产生源的蚀刻腔室无效
| 申请号： | 03818747.7 | 申请日： | 2003-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1675738A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈·津渊;法兰克·F·赫许丹瑞;卓根·V·波德兰斯尼克 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在晶片制造工艺中选择性控制腔室等离子体的方法及装置。此方法包括将制造工艺气体供应于腔室中的待处理晶片上方，并提供高频射频电力至等离子体产生单元，点燃该制造工艺气体形成等离子体。之后，将调变射频电力讯号耦接偏压单元，并依据特定制造工艺处方进行该晶片的制造工艺。此装置包括一个偏压单元及一个等离子体产生单元，其中偏压单元系设置于腔室中，适于承载晶片；等离子体产生单元系设置于偏压单元及晶片上。第一电源系与等离子体产生单元耦接，第二电源系与偏压单元耦接，第三电源系与偏压单元耦接，并且第二和第三系提供调变讯号给偏压单元。 | ||
| 搜索关键词： | 双频 偏压 等离子体 生源 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种在晶片制造工艺中控制腔室等离子体的装置，包括：一偏压单元，设置于该腔室中，适于承载一晶片；一等离子体产生单元，设置于该偏压单元上方；一第一电源，与该等离子体产生单元耦接；以及一第二电源，与该偏压单元耦接，并提供一调变讯号给该偏压单元。
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