[发明专利]隐埋数位线堆积及其制造方法有效
| 申请号： | 03818757.4 | 申请日： | 2003-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1675767A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | Y·J·胡 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;庞立志 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造隐埋数位线堆积的方法。该方法包括在多晶硅突起(224)上形成贫硅金属硅化物第一薄膜(226)，随后形成硅化物阻挡第二薄膜(228)。该硅化物阻挡第二薄膜被难熔金属第三薄膜(232)所覆盖。经过一个自对准金属硅化加工步骤，第一薄膜自对准于多晶硅突起。在一个具体实施方案中，所有的上述沉积过程均通过物理汽相沉积(PVD)完成。 | ||
| 搜索关键词： | 数位 堆积 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：通过物理汽相沉积(PVD)在导电突起上形成难熔金属硅化物第一薄膜；在所述难熔金属硅化物第一薄膜上形成难熔金属氮硅化物第二薄膜；以及通过PVD在所述难熔金属氮硅化物第二薄膜上形成难熔金属第三薄膜。
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