[发明专利]各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法有效
申请号: | 03818911.9 | 申请日: | 2003-08-07 |
公开(公告)号: | CN1675756A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 濑高良司;小久保辉一;妹尾浩司;原武生 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种各向异性导电连接器及其应用,通过它,定位,和保持及固定至晶片可容易地执行,即使晶片具有8英寸或更大直径的面积,且待检测电极的间距小,而且良好的导电性被维持,即使被重复使用和应用。该各向异性导电连接器具有结构板和弹性各向异性导电膜,其中多个各向异性导电膜安置孔相应于晶片上所有或部分集成电路中的电极区域形成,而该多个弹性各向异性导电膜被安置在各个各向异性导电膜安置孔中。该弹性各向异性导电膜安置孔每个都有多个用于连接的导电部件,该用于连接的导电部件在各向异性导电膜中的厚度方向上延伸并含有导电颗粒,且绝缘部件将它们彼此绝缘。导电颗粒是通过用高导电金属涂覆芯颗粒而获得的,该芯颗粒具有磁性,高导电金属对芯颗粒的质量比例至少为15%,且下面的t至少为50nm:t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)],其中Sw是芯颗粒的BET比表面积(m2/kg),ρ是高导电金属的比重(kg/m3),N是(高导电金属的质量/导电颗粒的总质量)。 | ||
搜索关键词: | 各向异性 导电 连接器 浆料 成分 探针 元件 晶片 检测 仪器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种各向异性导电连接器,其适用于对以晶片状态形成于晶片上的多个集成电路中的每个执行电气检测,其包括:结构板,其中每个都在所述结构板的厚度方向延伸的多个各向异性导电膜安置孔相应于电极区域被形成,其中待检测电极被安置在所有或部分形成于所述晶片上的集成电路中,所述晶片是检测的目标,以及多个被安置在所述结构板中各个各向异性导电膜安置孔中的弹性各向异性导电膜,且每个都由所述各向异性导电膜安置孔周围的外围边缘支撑,其中每个所述弹性各向异性导电膜由功能部件和要被整体地支撑的部件组成,该功能部件具有多个由弹性聚合物质形成的用于连接的导电部件和将这些用于连接的导电部件彼此绝缘的绝缘部件,该用于连接的导电部件含有显示高密度磁性的导电颗粒并在膜的厚度方向上延伸,并且相应于作为检测目标的晶片上形成的集成电路的待检测电极安置,要被整体地支撑的部件形成于所述功能部件的外围边缘并被固定到绕所述结构板中所述各向异性导电膜安置孔的外围边缘,以及其中所述包含在所述弹性各向异性导电膜中用于连接的导电部件中的导电颗粒是通过用高导电金属涂覆具有磁性的芯颗粒的表面而获得的,所述高导电金属对芯颗粒的质量比例至少为15%,且由所述高导电金属形成的涂层的厚度t至少为50nm,其是按照下面的等式(1)计算的:等式(1)t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]其中t是由高导电金属形成的涂层的厚度(m),Sw是芯颗粒的BET比表面积(m2/kg),ρ是高导电金属的比重(kg/m3),N是(高导电金属的质量/导电颗粒的总质量)的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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