[发明专利]CMP研磨剂及基板的研磨方法有效
申请号: | 03818946.1 | 申请日: | 2003-08-06 |
公开(公告)号: | CN1675331A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 芳贺浩二;大槻裕人;仓田靖;榎本和宏 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;H01L21/304;B24B37/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法,该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中,可进行有效率且高速的研磨。 | ||
搜索关键词: | cmp 研磨剂 研磨 方法 | ||
【主权项】:
1.一种CMP研磨剂,其包含氧化铈颗粒、具有炔键的有机化合物及水。
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