[发明专利]形成凸缘相移掩模及利用凸缘相移掩模来形成半导体器件的方法

摘要

通过利用凸缘相移掩模(84)构图抗蚀剂层(88)来形成半导体器件。利用用于形成不同的相移区(25或50或26)和不透明区(64)的多层或单层构图层来制造凸缘相移掩模(84)。通过转移在多层或单层构图层中的开口(17)，使其穿过不透明层(14)和透明基板(12)，形成第一相移区。使用相同的多层或单层构图层的至少部分来凹陷不透明层预定的距离，以形成凸缘(第二相移区)(26)。第一相移区(25或50)使穿过它们的光相对穿过凸缘(26)的光偏移180度，由此增加了穿过凸缘相移掩模的光的对比度。

主权项

1.一种形成凸缘相移掩模的方法，包括：提供透明基板；形成覆盖所述透明基板(12或32)的不透明层(14或34)；形成覆盖所述不透明层的第一掩模层(16或38)；形成覆盖第一掩模层(17或46)的第二掩模层(18或42)；构图所述第二掩模层以限定第一开口；转移第一开口(17，22和24或46，48和52)穿过所述第二掩模层和不透明层并进入透明基板，以露出所述透明基板的第一相移区(25或50)；凹陷第一掩模层(图5中的16或38)以形成第二开口(图5中的24)，所述第二开口的外部边缘延伸至所述第一开口的外部边缘以外；除去在第二开口内覆盖所述透明基板的不透明层的部分，以暴露出所述透明基板的凸缘区(26)；以及除去所述第一和第二掩模层以形成所述凸缘相移掩模。