[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 03818986.0 | 申请日： | 2003-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1675772A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | J·M·香农;E·G·格尔斯特纳 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 晶体管具有在半导体主体层(10)的与栅电极(4)相对的侧上的源电极(22)，栅电极通过栅绝缘体(8)与主体层(10)绝缘。源电极(22)具有到半导体主体层(10)的电势势垒，例如肖特基势垒。至少一个漏电极(54)也连接到半导体主体层(10)。合适的源－漏电压和栅电压耗尽邻近源电极(22)的半导体主体层的区域，然后通过栅电压控制源－漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘的栅晶体管，用于使用预先确定的传导类型的电荷载流子进行传导，其包括：半导体主体层(10)；延伸通过半导体主体层(10)的源区域的源电极(22)，在源电极(22)和半导体主体层的源区域(32)之间限定了肖特基电势势垒，连接到半导体主体层的漏电极(24)；及用于在源区域耗尽时，控制预先确定的载流子类型的载流子从源电极(22)穿过势垒传递到半导体主体层(10)的源区域(32)的栅电极(4)；其中，栅电极(4)以与源电极重叠的关系设置在位于半导体主体层上与源电极相对侧上，在栅电极和半导体主体层之间具有栅绝缘体层(8)；及栅电极(4)与源电极(22)隔开的距离至少为半导体主体层(10)和在整个肖特基势垒的栅-控制区域上方的栅绝缘体(8)组合的整体厚度。
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