[发明专利]蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物无效
| 申请号： | 03819178.4 | 申请日： | 2003-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1689142A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | Y·K·泰勒;W·阮;C·G·N·李 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法。该方法包括以含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料。然后进行晶片的主蚀刻。还公开了一种用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的图形的方法。该硬化方法包括提供含溴的等离子体并将光致抗蚀剂材料暴露在等离子体中，使得光致抗蚀剂材料下面的晶片的层不被蚀穿。在高密度等离子体处理装置中用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的等离子体组合物包括溴。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 工艺 用于 硬化 光致抗蚀剂 方法 组合 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法，包括：蚀刻之前，用含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料；和进行晶片的主蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
