[发明专利]MEMS开关中的电极排列有效
申请号: | 03819286.1 | 申请日: | 2003-08-13 |
公开(公告)号: | CN1842884A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | Q·马 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘红;张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种微机电系统(MEMS)开关,包括:信号触点(78)、激励电极(76)和当将电压提供给激励电极时接合信号触点的梁(80)。信号触点包括第一部分和第二部分。激励电极位于信号触点的第一和第二部分之间。 | ||
搜索关键词: | mems 开关 中的 电极 排列 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS开关,包括:包括第一部分和第二部分的信号触点;位于信号触点的第一和第二部分之间的激励电极;和当将电压提供给激励电极时接合信号触点的梁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03819286.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。