[发明专利]用于成像探测器的封装结构有效
申请号: | 03819427.9 | 申请日: | 2003-08-12 |
公开(公告)号: | CN1675780A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 伊罗·希耶塔宁;米科·云图宁 | 申请(专利权)人: | 地太科特技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;G01T1/24 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 芬兰米克*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列,每个光电探测器子阵列都由下述形成:在至少一个衬底的第一表面处形成的多个阳极;在至少一个衬底的第二表面处形成的相应的多个阴极;和在多个阳极之间的电互连,由此阵列输出由多个阴极提供,其中所述多个光电探测器子阵列在矩阵中彼此靠近放置,以形成光电探测器阵列。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 探测器 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.光电二极管阵列,包括:多个阳极,形成在至少一个衬底的第一表面处;相应的多个阴极,形成在至少一个衬底的第二表面处;以及电互连,介于所述多个阳极之间;所述阵列的输出由所述多个阴极提供。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的