[发明专利]半导体晶片的制造方法

摘要

在具有平坦支撑表面的支撑基板(10)的支撑表面上支撑半导体晶片W的表面，使支撑基板(10)与半导体晶片W成为一体，利用减薄装置，对与支撑基板(10)成为一体的半导体晶片W的背面进行抛光和蚀刻，之后利用膜形成装置(40)，在与支撑基板(10)成为一体的半导体晶片W的背面上形成薄膜。由于半导体晶片W与支撑基板(10)成为一体，即使100μm或更薄的半导体晶片也不会翘曲，由此就能均匀地形成薄膜。

主权项

1、一种半导体晶片的制造方法，用于在表面上形成有电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其中至少包括以下工序：一体化工序，在具有平坦支撑面的支撑基板的该支撑面上支撑半导体晶片表面，使该支撑基板与该半导体晶片成为一体；减薄工序，利用对半导体晶片进行减薄加工的减薄装置，均匀地去除与该支撑基板成为一体的半导体晶片的背面，从而减薄半导体晶片；以及膜形成工序，利用膜形成装置在与支撑基板成为一体的半导体晶片的背面上形成薄膜。