[发明专利]薄膜晶体管

摘要

一种制造TFT的方法，包括：蚀刻衬底(1)上的基层结构(9)，使得形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的栅极(4)，该顶点区(12)具有半径为几纳米的尖端(13)，在该斜侧边缘和该顶点区之上淀积非晶硅沟道层(6)，在该沟道层之上淀积金属层(8)，使得覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料之上涂覆一层掩蔽材料(14)并对其进行选择性蚀刻，以便该顶点区中的金属层(8)从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料(14)的金属(8)，以便提供覆盖该斜边缘、其间具有短沟道(L)的分开的自对准的源区和漏区(8a、8b)。

主权项

1.一种制造TFT的方法，包括：蚀刻衬底(1)上的基层结构(9)，使得形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的栅极(4)，淀积材料，以在该斜侧边缘和该顶点区之上形成沟道层(6)，在该沟道层之上淀积导电材料(8)，以便覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料(8)之上施加一层掩蔽材料(14)，以便该顶点区中的导电材料从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料的该导电材料，以便提供覆盖该斜边缘的分开的源区和漏区(8a、8b)。