[发明专利]纳米晶体电子器件

摘要

一种MOS晶体管(29)可用作为在非易失性存储器件中的电荷存储器件，或者作为放大器，使用该器件的电荷存储特性作为调制在源极和漏极电极(31，33)之间沟道导电性的方法。在掺杂的基片(11)上，栅极氧化层(17)将掺杂的、电性能隔离的电荷储存层(19)与基片相隔离。上层的隧道势垒层(21)将电荷储存层与纳米晶体层(23)相隔离，纳米晶体层可以在纳米晶体层上且被氧化层(25)所分开的控制栅极(27)的影响下接受电荷或将电荷分配至电荷储存层中。在电荷储存层中的电荷可以影响沟道的导电性。该器件可以存储器模式工作，类似于EEPROM，或者可以放大器模式工作，在该模式中，栅极电压的变化可在沟道导电性变化中予以反应。

主权项

1.一种晶体管结构，其特征在于，它包括：基片，它具有半导体导电性；台面结构，以竖立侧壁的结构设置在基片上，所述台面结构包括：在基片上的栅极氧化层，在栅极氧化层上的掺杂绝缘电荷储存层，在电荷储存层上的绝缘材料的隧道层，在浮置电荷储存层上的隧道势垒层，设置在隧道层上的纳米晶体层，在隧道层上的绝缘层，以及在绝缘层上的导电控制栅极；和，源极和漏极区域，具有第二导电型，与所述台面结构的竖立另一侧壁对准，并具有定义在源极和漏极之间基片中沟道的台面，其电场夹断特性受台面结构中的电子位置的影响，使得从电荷储存层拉至纳米晶体层的电子可以改变在源极和漏极区域之间的夹断特性，从而改变在源极和漏极区域之间的导电性。