[发明专利]真空溅射阴极有效
| 申请号： | 03819917.3 | 申请日： | 2003-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1757091A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | M·奥拉涅;L·拉巴尔姆 | 申请（专利权）人： | 泰克玛西纳股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄必青 |
| 地址： | 法国昂德雷*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于真空溅射的阴极，其靶(2)的支座由一个冷却器构成，其特征在于，它包括一个支撑底座(3)，一个框架(11)叠加在支撑底座(3)上，框架(11)限定至少一个用于冷却流体流动的空间(1a)，所述框架(11)上叠加地接纳一个薄膜(4)，底座(3)、框架(11)和薄膜(4)在周边组装在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 溅射 阴极 | ||
【主权项】：
1.用于真空溅射的阴极，其靶(2)支座由一个冷却器构成，其特征在于，它包括一个支撑底座(3)，一个框架(11)叠加在支撑底座上，框架(11)限定至少一个用于一种冷却流体流动的空间(1a)，所述框架(11)上叠加地接纳一个薄膜(4)，底座(3)、框架(11)和薄膜(4)在周边组装在一起。
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