[发明专利]铁电存储器及其数据读取方法有效
| 申请号： | 03820075.9 | 申请日： | 2003-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1679115A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 川岛将一郎;远藤彻;平山智久 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一条位线经由第一pMOS晶体管连接至设定为预定负电压的第一节点。第一pMOS晶体管的栅极电压设定为略低于第一pMOS晶体管的阈值电压的一恒定电压。在读取操作期间，根据铁电电容器中的残余极化值而从存储单元流入位线的电流总是泄漏入第一节点，增高了第一节点的电压。从第一节点的电压升高量来判断存储在存储单元中的数据的逻辑值。不需要用于在读取操作期间将位线保持至地电压的控制电路，从而减小了铁电存储器的设计尺寸和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器，包括：一存储单元，具有一铁电电容器；一位线，连接至所述存储单元；一第一pMOS晶体管，其源极、漏极和栅极分别连接至一第一节点、所述位线和一第二节点；一负电压生成器，将所述第一节点的电势初始设定为一规定的负电压；以及一阈值电压生成器，在所述第二节点处生成比所述第一pMOS晶体管的阈值电压略低的一恒定电压。
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